无锡博创微电子有限公司 main business:许可经营项目：无。 一般经营项目：半导体集成电路及半导体分立器件的研发、生产、销售；电子产品的开发、生产、销售；计算机软件、硬件的开发和销售；仪器仪表、普通机械、电器机械、五金交电的销售；技术服务。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 320200000134851
- 注销
- 2011年08月31日
- 有限责任公司（法人独资）
- 2006年02月22日
- 易扬波
- 150万元人民币
- 2006年02月22日 至 永久
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2011年08月31日
- 无锡新区长江路21号信息产业园D幢401室
- 许可经营项目：无。 一般经营项目：半导体集成电路及半导体分立器件的研发、生产、销售；电子产品的开发、生产、销售；计算机软件、硬件的开发和销售；仪器仪表、普通机械、电器机械、五金交电的销售；技术服务。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN100502191C | MOS型过温保护电路 | 2009.06.17 | 一种MOS型过温保护电路，包括：温度信号采样电路和窗口形成电路，温度信号采样电路，有一个NMOS管( |
| 2 | CN201038745Y | MOS型过温保护电路 | 2008.03.19 | 一种MOS型过温保护电路，包括：温度信号采样电路和窗口形成电路，温度信号采样电路，有一个NMOS管( |
| 3 | CN100464421C | 集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管 | 2009.02.25 | 本发明公开了一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底，在N型衬底上设置 |
| 4 | CN100440505C | 耗尽型终端保护结构 | 2008.12.03 | 一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有 |
| 5 | CN101159267A | 集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管 | 2008.04.09 | 本发明公开了一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底，在N型衬底上设置 |
| 6 | CN101102039A | MOS型过温保护电路 | 2008.01.09 | 一种MOS型过温保护电路，包括：温度信号采样电路和窗口形成电路，温度信号采样电路，有一个NMOS管( |
| 7 | CN200956369Y | 耗尽型终端保护结构 | 2007.10.03 | 一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有 |
| 8 | CN2899378Y | 运用智能控制芯片的应急照明装置 | 2007.05.09 | 本实用新型公开了一种运用智能控制芯片的应急照明装置，包括电源电路模块、市电监控开关电路、充电控制开关 |
| 9 | CN1929126A | 耗尽型终端保护结构 | 2007.03.14 | 一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有 |
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